高压气体过滤器在半导体行业主要用于对高压气体进行过滤净化,以满足半导体制造工艺对气体纯度的严格要求。以下是其具体应用:
1、光刻工艺:光刻中使用的高压氮气等保护气体,经过高压气体过滤器去除其中的尘埃颗粒、水汽和油雾等杂质后,可防止这些杂质污染光刻胶和晶圆表面,确保光刻图案的精度和质量。
2、刻蚀工艺:刻蚀过程中,高压气体过滤器用于净化刻蚀气体,如 CF₄、SF₆等。它能有效去除气体中的颗粒杂质和反应副产物,避免其进入刻蚀腔室,从而防止对晶圆造成污染,保证刻蚀的均匀性和精度。
3、薄膜沉积工艺:在化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)等薄膜沉积工艺中,高压气体过滤器对工艺气体进行过滤。以 CVD 为例,过滤后的高纯气体可确保沉积的薄膜具有良好的均匀性、纯度和电学性能,防止杂质影响薄膜质量。
4、离子注入工艺:离子注入时,使用的高压气体如氩气、氪气等经过过滤器,可去除气体中的杂质和颗粒,保证离子束的纯度和稳定性,进而实现精确的离子注入,提高半导体器件的性能和一致性。
5、扩散工艺:扩散过程中,高压气体过滤器对携带杂质原子的气体进行过滤,保证气体的纯净度,使杂质原子能够均匀、精确地扩散到晶圆内部,形成所需的半导体结构和性能。
哪种气体类型对过滤器的材质要求最高?
在半导体制造中,一些具有强腐蚀性、高活性或特殊物理化学性质的气体对过滤器材质要求较高,以下是几种典型的气体:
卤化氢气体:如氯化氢(HCl)、氟化氢(HF)等。这类气体具有强腐蚀性,会与许多金属发生化学反应,对过滤器材质的耐腐蚀性要求极高。一般需要采用聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物(PFA)等氟塑料材质的过滤器,这些材料具有优异的化学稳定性,能够抵抗卤化氢气体的腐蚀。
强氧化性气体:例如臭氧(O₃)、氯气(Cl₂)等。强氧化性气体容易使普通材料氧化,导致材料性能下降。过滤器通常会选用陶瓷、玻璃纤维等具有良好抗氧化性能的材质,以保证在强氧化性气体环境下的稳定性和过滤效果。
含金属有机化合物的气体:比如三甲基铝(TMA)、二乙基锌(DEZ)等。这些气体化学性质活泼,对水分和杂质非常敏感,容易发生反应生成杂质颗粒,影响半导体制造工艺。因此,过滤这类气体的过滤器材质不仅要具备高精度的过滤性能,还要有良好的化学稳定性和极低的表面粗糙度,以防止气体吸附和反应。通常会采用经过特殊处理的不锈钢或镍基合金等材质,并搭配高精度的过滤介质,如恒歌金属烧结滤芯,以满足对这类气体的过滤要求。
特种混合气体:在一些先进的半导体制造工艺中,会使用到多种气体混合而成的特种气体,如用于刻蚀的混合气体中可能包含氟化物、氧气和惰性气体等。这些混合气体的性质复杂,对过滤器材质的综合性能要求很高。过滤器材质需要同时具备耐腐蚀性、抗氧化性和对各种气体成分的兼容性,以确保在复杂的气体环境中能够稳定运行,保证过滤效果和气体纯度。
发布时间 25-04-07